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发明

一种基于多孔AAO制备垂直环绕沟道FET生物传感器的方法

2023-06-15 07:06:24 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310024425.5
  • 公开（公告）日：2024-06-04
  • 公开（公告）号：CN116254521A
  • 申请人：福州大学
摘要：本发明提出一种基于多孔AAO制备垂直环绕沟道FET生物传感器的方法，能以多孔阳极氧化铝AAO模板来制备传感器，方法基于多孔AAO模板提供的长程有序、周期性的高深宽比、单通纳米孔，将刻蚀形成的双通AAO模板转移到表面有导电层的目标衬底上，利用原子层沉积技术制备垂直环绕沟道场效应晶体管CAA‑FET，所述CAA‑FET包括由外到内依次设有氧化物半导体沟道、高k介质层、导电层的纳米柱。利用纳米柱阵列的物理阻挡效应，原位“过滤”全血、尿液、汗液、唾液等复杂体液中的细胞、细菌、病毒等非特异性大尺寸物质，而尺寸小于纳米柱缝隙的小分子可以进入纳米柱侧壁及底部与生物探针结合，提升检测特异性，并实现纯化生物样本和检测目标生物分子于一体的集成式生物传感器。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116254521 A (43)申请公布日 2023.06.13 (21)申请号 202310024425.5 C23C 16/56 (2006.01) C23C 28/00 (2006.01) (22)申请日 2023.01.09 (71)申请人 福州大学 地址 362251 福建省泉州市晋江市金井镇 水城路1号福州大学晋江科教园 (72)发明人 李调阳　王博　林本慧　梅佳旺　 (74)专利代理机构 福州元创专利商标代理有限 公司 35100 专利代理师 郭东亮　蔡学俊 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) G01N 27/414 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种基于多孔AAO制备垂直环绕沟道FET生 物传感器的方法 (57)摘要 本发明提出一种基于多孔AAO制备垂直环绕 沟道FET生物传感器的方法，能以多孔阳极氧化 铝AAO模板来制备传感器，方法基于多孔AAO模板 提供的长程有序、周期性的高深宽比、单通纳米 孔，将刻蚀形成的双通AAO

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