一种用于MOSFET的保护电路2024

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107565942 A (43)申请公布日 2018.01.09 (21)申请号 201710970367.X (22)申请日 2017.10.16 (71)申请人 云南电网有限责任公司电力科学研 究院 地址 650217 云南省昆明市经济技术开发 区云大西路105号 (72)发明人 许守东　陈勇　张丽　 (74)专利代理机构 北京弘权知识产权代理事务 所(普通合伙) 11363 代理人 逯长明　许伟群 (51)Int.Cl. H03K 17/08(2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种用于MOSFET的保护电路 (57)摘要 本申请公开了一种用于MOSFET的保护电路， 包括稳压电路S1、延迟电路S2与补能电路S3，其 中稳压电路S1包括稳压二极管D1。稳压二极管D1 的负极连接MOSFET Q3的D极，稳压二极管D1的正 极分别连接延迟电路S2与补能电路S3；延迟电路 S2的另一端连接MOSFET Q2的G极，补能电路S3的 另一端连接MOSFET Q3的G极。本申请的保护电路 通过减缓MOSFET Q3的开关速度，降低寄生电感L 产生的反向感应电压，进而降低了MOSFET Q3承 受过电压的风险。 A 2 4 9 5 6 5 7 0 1