碳化硅铝基复合材料及其制备方法和应用

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116334435 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310128464.X (22)申请日 2023.02.17 (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区清华园 (72)发明人 刘源　石林　周灿旭　王延绅　 (74)专利代理机构 北京华进京联知识产权代理 有限公司 11606 专利代理师 崔彤彤 (51)Int.Cl. C22C 1/10 (2023.01) C22C 1/02 (2006.01) C22C 21/00 (2006.01) C22C 32/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 碳化硅铝基复合材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本申请涉及电子封装技术领域，特别是涉及 一种碳化硅铝基复合材料及其制备方法和应用。 碳化硅铝基复合材料的制备方法包括以下步骤： 将n个碳化硅预制体层叠设置后，热压烧结，制备 致密度呈梯度分布的多孔碳化硅，n为≥2的整 数；采用渗流法使多孔碳化硅和铝基体形成碳化 硅铝基复合材料 ；n个碳化硅预制体的致密度呈 梯度变化，碳化硅预制体的制备方法包括：将硅 粉、碳粉和造孔剂混合，压制。上述制备方法制得 的碳化硅铝基复合材料具有低热膨胀系数，且碳 化硅呈梯度分布。 A 5 3 4 4 3 3 6 1 1 N C CN 116334435 A