存储器装置中的低电阻通孔触点

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451205 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110308268.1 (22)申请日 2021.03.23 (30)优先权数据 16/832,324 2020.03.27 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 朱利奥 ·阿尔比尼　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 彭晓文 (51)Int.Cl. H01L 21/768 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) H01L 27/24 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01) 权利要求书3页 说明书16页 附图9页 (54)发明名称 存储器装置中的低电阻通孔触点 (57)摘要 本申请涉及存储器装置中的低电阻通孔触 点。可以形成通孔以从周围的材料突出。可以在 阵列区域上方以及在通孔上方形成阻隔材料。在 阻隔材料上方形成接入线材料的第一层后，可以 应用平坦化工艺直到暴露通孔的顶部。平坦化工 艺可以从通孔上方去除接入线材料和阻隔材料， 而接入线材料和阻隔材料可以保持在阵列区域 上方。接入线材料的第一层可以在平坦化工艺期 间保护未去除的阻隔材料。接入线材料的第二层 可以形成在接入线材料的第一层上方并且与通 孔直接接触。 A 5 0 2 1 5 4