发明

一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法及应用2024

2023-12-25 07:53:54 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311243440.5
  • 公开(公告)日:2024-11-26
  • 公开(公告)号:CN117265661A
  • 申请人:山东省科学院新材料研究所
摘要:本发明属于体块单晶加工技术领域,具体涉及一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法及其应用。本发明通过直拉单晶制造法制备出Cu‑KTN晶体,首次发现Cu‑KTN晶体呈现出不同的颜色,并且该过程能可逆控制,此外Cu掺杂KTN增大了外加电压下的光电流,使得405nm光辐照时的光束偏转角增大。本发明探索Cu掺杂KTN单晶,一方面对对新型光致变色材料,另一方面对光激发载流子改善光电流的大小,增大光束偏转角,促进电光功能材料的应用具有重大价值。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117265661 A (43)申请公布日 2023.12.22 (21)申请号 202311243440.5 (22)申请日 2023.09.22 (71)申请人 山东省科学院新材料研究所 地址 250000 山东省济南市历下区科院路 19号 (72)发明人 刘冰 陈攀 赵继广 王旭平  陈文蝶  (74)专利代理机构 临沂千里目知识产权代理事 务所(普通合伙) 37448 专利代理师 刘宝 (51)Int.Cl. C30B 29/22 (2006.01) C30B 15/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法 及应用 (57)摘要 本发明属于体块单晶加工技术领域,具体涉 及一种光致变色的铜掺杂KTN单晶、制备方法及 其应用。本发明通过直拉单晶制造法制备出Cu‑ KTN晶体,首次发现Cu‑KTN晶体呈现出不同的颜 色,并且该过程能可逆控制,此外Cu掺杂KTN增大 了外加电压下的光电流,使得405nm光辐照时的 光束偏转角增大。本发明探索Cu掺杂KTN单晶,一 方面对对新型光致变色材料,另一方面对光激发 载流子改善光电流的大小,增大光束偏转角,促 进电光功能材料的应用具有重大价值。 A 1 6 6 5 6 2 7 1 1 N C CN 117265661 A

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