一种低应力深沟槽多晶栅及其制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117747422 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202410193083.4 (22)申请日 2024.02.21 (71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物 理研究所 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发 区东南湖大路3888号 (72)发明人 李彦庆　余毅　何锋赟　张海宇　 (74)专利代理机构 长春中科长光知识产权代理 事务所(普通合伙) 22218 专利代理师 陈陶 (51)Int.Cl. H01L 21/28 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 29/49 (2006.01) H01L 21/321 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种低应力深沟槽多晶栅及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及集成电路制造技术领域，具体提 供一种低应力深沟槽多晶栅及其制备方法，解决 了现有方法对深且宽沟槽的多晶栅制备时存在 硅片翘曲严重的问题，制备方法包括：在硅衬底 上刻蚀沟槽，并在沟槽内生长一层栅极氧化层； 在沟槽内、栅极氧化层上制备掺杂多晶硅膜；在 沟槽内、掺杂多晶硅层上制备未掺杂多晶硅膜； 沟槽口处形成第一氧化层，对掺杂多晶硅膜和未 掺杂多晶硅膜进行退火；去除第一氧化层；在沟 槽中制备上掺杂多晶硅层，形成栅极，所述掺杂 多晶硅