一种晶圆级二维材料的洁净转移方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116621167 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310603143.0 (22)申请日 2023.05.25 (71)申请人 中国科学院重庆绿色智能技术研究 院 地址 400714 重庆市北碚区方正大道266号 申请人 重庆大学 (72)发明人 张永娜　姜浩　李占成　石彪　 史浩飞　 (74)专利代理机构 北京同恒源知识产权代理有 限公司 11275 专利代理师 廖曦 (51)Int.Cl. C01B 32/194 (2017.01) C01B 32/184 (2017.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种晶圆级二维材料的洁净转移方法 (57)摘要 本发明涉及一种晶圆级二维材料的洁净转 移方法，属于二维材料转移技术领域。具体方法 为：在铜层上旋涂制备聚合物薄膜，再利用电化 学法分离出聚合物薄膜，随后采用铜箔/二维材 料衬底将其捞取获得聚合物薄膜/二维材料/铜 箔，刻蚀法去除铜箔后以目标衬底捞取获得聚合 物薄膜/二维材料/目标衬底，最后采用硅胶膜物 理粘附去除聚合物薄膜获得二维材料/目标衬 底，从而实现二维材料的洁净转移。该方法采用 含大侧基官能团的丙烯酸酯类聚合物作转移介 质，通过预制聚合物薄膜并结合硅胶膜物理去除 聚合物薄