一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865687 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410093993.5 (22)申请日 2024.01.23 (71)申请人 中国科学院兰州化学物理研究所 地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中 路18号 (72)发明人 樊恒中　郑先德　张永胜　李红斌　 苏云峰　宋俊杰　胡丽天　 (74)专利代理机构 兰州智和专利代理事务所 (普通合伙) 62201 专利代理师 张英荷 (51)Int.Cl. C04B 35/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方 法 (57)摘要 本发明涉及一种非等比高熵硅化物陶瓷材 料的制备方法，是将Ti粉、V粉、Nb粉、Mo粉、W粉和 Si粉混合后，加入无水乙醇作为球磨介质，在氩 气保护气氛中研磨得到混合粉末；在对混合粉末 干燥后压制成型，之后进行放电等离子烧结；烧 结完成后进行冷却得到目标产物M o 0 . 4 (Ti V Nb W ) Si 。经检测，该高熵陶 0 .25 0 .25 0 .25 0 .25 0 .6 2 瓷具有较高的硬度并且在高温下具有良好的抗 氧化性能，在高温高载等极端恶劣工况环境下具 有潜在应用前景。 A 7 8 6 5 6 8 7 1 1 N C CN 117865687 A