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发明

一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法2023

2023-10-01 07:19:04 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310791533.5
  • 公开（公告）日：2023-09-29
  • 公开（公告）号：CN116815312A
  • 申请人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法，所述方法包括以下步骤：将硅片依次经过CP前洗净、CP腐蚀、CP后洗净、LP前洗净后，进行LPCVD；本发明提供的方法在硅片上沉积多晶硅膜前，控制硅片浅表层内的镍含量，将硅片浅表层内的金属镍作为多晶硅膜内体镍的重要来源加以控制。控制沉积多晶硅膜前的硅片浅表层内的金属镍含量，即使在LPCVD机台中沉积多晶硅膜时会有高温(660℃±10℃)和已沉积的多晶硅(具有吸杂效果)的双重作用，也能控制住多晶硅膜内的体镍含量，使多晶硅膜内体镍(Ni)含量稳定的远低于1E14atoms/cm3，从而提高了产品良率，并使客户端器件的功能得到有力保障。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116815312 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310791533.5 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 地址 201900 上海市宝山区山连路181号 (72)发明人 彭建明　 (74)专利代理机构 上海港慧专利代理事务所 (普通合伙) 31402 专利代理师 郭嘉莹 (51)Int.Cl. C30B 28/14 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图1页 (54)发明名称 一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量 管控的方法 (57)摘要 本发明涉及一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜 内体镍含量管控的方法 ，所述方法包括以下步 骤：将硅片依次经过CP前洗净、CP腐蚀、CP后洗 净、LP前洗净后，进行LPCVD；本发明提供的方法 在硅片上沉积多晶硅膜前，控制硅片浅表层内的 镍含量，将硅片浅表层内的金属镍作为多晶硅膜 内体镍的重要来源加以控制。控制沉积多晶硅膜 前的硅片浅表层内的金属镍含量，即使在LPCVD 机台中沉积多晶硅膜时会有高温(660℃±10℃) 和已沉积的多晶硅(具有吸杂效果)的双重作用， 也能控制住多晶硅膜内的体镍含量，使多晶硅膜 3 A 内体镍(N

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