一种异型靶材及磁控溅射工艺2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117248187 A (43)申请公布日 2023.12.19 (21)申请号 202311387940.6 (22)申请日 2023.10.24 (71)申请人 无锡尚积半导体科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区长江南 路35-312号厂房 (72)发明人 许磊　宋永辉　刘超　姜颖　 (74)专利代理机构 无锡市兴为专利代理事务所 (特殊普通合伙) 32517 专利代理师 屠志力 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种异型靶材及磁控溅射工艺 (57)摘要 本发明提供一种异型靶材，包括：平面主部， 所述平面主部用于与基片相对而设；倾斜辅部， 所述倾斜辅部自平面主部的边缘向外延伸，并朝 向基片方向倾斜设置，所述倾斜辅部与平面主部 之间的夹角为5°～45°；所述平面主部可以是圆 形，相应地，所述倾斜辅部为围绕平面主部设置 的环形；所述平面主部的宽度大于基片的宽度， 但不超过基片宽度的110%，所述平面主部和倾斜 辅部的整体宽度为基片宽度的130%～160%。本发 明还提出了利用异型靶材的磁控溅射工艺。本发 明能够使得磁控溅射镀膜形成的薄膜膜厚均匀 性更佳，同时实现更优的微孔内壁薄膜镀制效 A 果。 7 8 1