成膜方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112391605 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202010772873.X (22)申请日 2020.08.04 (30)优先权数据 2019-149132 2019.08.15 JP (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 佐藤润　菊地宏之　深田健宏　 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇　李茂家 (51)Int.Cl. C23C 16/30 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01) 权利要求书1页 说明书11页 附图13页 (54)发明名称 成膜方法 (57)摘要 本发明涉及成膜方法。提供一种技术，其能 够将硅氧化膜埋入于凹部而不容易因随后的蚀 刻工序出现接缝。基于本公开的一个方式的成膜 方法具有如下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面 形成有凹部的基板上的步骤；向上述基板供给氧 化气体，对吸附于上述基板上的上述氨基硅烷气 体进行氧化，从而使硅氧化膜堆积于上述基板上 的步骤；和，利用等离子体将包含氮气及氢气的 混合气体活化后供给至上述硅氧化膜，从而进行 上述硅氧化膜的改性处理的步骤。 A 5 0 6 1 9 3 2 1 1 N C CN 112391605 A 权　利　要