成膜方法和成膜装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112391607 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202010789975.2 (22)申请日 2020.08.07 (30)优先权数据 2019-149951 2019.08.19 JP (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 羽根秀臣　大槻志门　小山峻史　 向山廉　小川淳　吹上纪明　 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇　李茂家 (51)Int.Cl. C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 成膜方法和成膜装置 (57)摘要 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在 表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅 膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和 第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实 施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化 硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离 子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供 给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序， 形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序； 为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体 化的改性用气体的工序；和