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PCT发明

用于半导体器件的单片3D集成的架构

2023-06-11 12:53:22 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201980071531.0
  • 公开（公告）日：2024-09-10
  • 公开（公告）号：CN112956024A
  • 申请人：东京毅力科创株式会社
摘要：一种三维(3D)集成电路(IC)包括具有衬底表面的衬底、设置在该衬底中的电力轨、以及第一半导体器件层级，该第一半导体器件层级设置在该衬底中并且沿着该衬底的厚度方向位于该电力轨之上。布线层级设置在该衬底中，并且第二半导体器件层级设置在该衬底中并沿着该厚度方向位于该布线层级之上。该第二半导体器件层级在该厚度方向上堆叠在该第一半导体器件层级上，使得该布线层级插入在该第一半导体器件层级与该第二半导体器件层级之间。第一竖直互连结构从该布线层级向下延伸到该第一半导体器件层级，以将该布线层级电连接到该第一半导体器件层级内的器件。第二竖直互连结构从该布线层级向上延伸到该第二半导体器件层级，以将该布线层级电连接到该第二半导体器件层级内的器件。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112956024 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 201980071531.0 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 (22)申请日 2019.10.29 代理人 陈炜　李德山 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/752,112 2018.10.29 US H01L 27/06 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 27/088 (2006.01) 2021.04.28 H01L 27/11 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 27/115 (2017.01) PCT/US2019/058554 2019.10.29 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/092361 EN 2020.05.07 (71)

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