半导体结构制备方法及半导体结构2026

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117545272 A (43)申请公布日 2024.02.09 (21)申请号 202210918006.1 (22)申请日 2022.08.01 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发 区空港工业园兴业大道388号 (72)发明人 王弘　李晓杰　 (51)Int.Cl. H10B 12/00 (2023.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图11页 (54)发明名称 半导体结构制备方法及半导体结构 (57)摘要 本公开涉及一种半导体结构制备方法及半 导体结构，包括：提供衬底，于衬底上形成初始叠 层结构，初始叠层结构包括沿第一方向依次交替 叠置的第一介质层、目标半导体层，第一介质层 与衬底相邻；于初始叠层结构内形成沿第二方向 间隔排布且沿第三方向延伸的第一沟槽隔离结 构、第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构；形 成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽， 目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬 空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极 结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内 存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所 A 占空间体积及相邻字线结构的间距，并能够控制 2 字线结构连接晶体管栅极结构的尺寸。 7 2 5 4 5 7 1 1 N C CN 117545272 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.