1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
PCT发明

在脉冲式PVD中通过等离子体改性从晶片移除颗粒的方法

2023-06-23 08:07:01 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202080013665.X
  • 公开（公告）日：2024-11-01
  • 公开（公告）号：CN113412341A
  • 申请人：应用材料公司
摘要：披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113412341 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202080013665.X 基索尔 ·卡拉提帕拉比尔　 凡妮莎 ·法恩　徐松文　 (22)申请日 2020.02.11 (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 (30)优先权数据 有限公司 11006 62/804,144 2019.02.11 US 代理人 徐金国　赵静 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 (51)Int.Cl. 2021.08.11 C23C 14/02 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C23C 14/56 (2006.01) PCT/US2020/017633 2020.02.11 C23C 14/22 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据

最新专利

相关专利