一种In2O3/2D-MoS2异质结薄膜材料及其制备方法和应用2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117626196 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311586542.7 (22)申请日 2023.11.24 (71)申请人 甘肃省科学院传感技术研究所 地址 730000 甘肃省兰州市定西南路229号 (72)发明人 刘斌　谢明玲　王向谦　员朝鑫　 强进　 (74)专利代理机构 北京正华智诚专利代理事务 所(普通合伙) 11870 专利代理师 郭艳艳 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种In O /2D-MoS 异质结薄膜材料及其制 2 3 2 备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种In O /2D‑MoS 异质结薄 2 3 2 膜材料及其制备方法和应用，制备方法包括以下 步骤：采用磁控溅射法在2D‑MoS 表面制备In O 2 2 3 薄膜形成异质结薄膜材料；其中，磁控溅射时，气 流为15‑25sccm，气压为1‑2Pa、功率为10‑20W，溅 射时间25‑35s。本发明利用物理气相沉积与