1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

双面覆接金属的陶瓷基板及其制备方法

2023-07-30 07:13:33 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210052397.3
  • 公开（公告）日：2024-10-11
  • 公开（公告）号：CN116496098A
  • 申请人：上海富乐华半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种双面覆接金属的陶瓷基板及其制备方法，该陶瓷基板包括陶瓷片以及分别设置在该陶瓷片正面及背面的正面金属层和背面金属层。正面金属层蚀刻有蚀刻槽和正面图形区；背面金属层蚀刻有半蚀刻槽以及背面图形区，半蚀刻槽形状为蜂窝状或网格状，所述半蚀刻槽面积占整个金属面的比例为5％‑40％，深度为金属面的40％‑70％，蚀刻槽的宽度为0.4mm‑5mm。制备方法包括陶瓷片覆接金属，表面除油剂微蚀刻处理，贴膜、曝光、显影，以及金属层及焊料层蚀刻。贴膜、曝光、显影中，将有机干膜双面贴在覆铜板上，使用精细化斑点图形设计的菲林进行对位曝光从而在正面曝光出产品图形，在背面曝光出功能性半蚀刻槽，曝光后显影实现半蚀刻槽一次制备。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116496098 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202210052397.3 H01L 23/373 (2006.01) (22)申请日 2022.01.18 (71)申请人 上海富乐华半导体科技有限公司 地址 200444 上海市宝山区山连路181号3 幢 (72)发明人 周轶靓　贺贤汉　吴承侃　陈天华　 葛荘　 (74)专利代理机构 上海申浩律师事务所 31280 专利代理师 赵建敏 (51)Int.Cl. C04B 37/02 (2006.01) C23G 1/02 (2006.01) C23G 1/10 (2006.01) C23G 1/12 (2006.01) H01L 21/48 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 双面覆接金属的陶瓷基板及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种双面覆接金属的陶瓷基板 及其制备方法，该陶瓷基板包括陶瓷片以及分别 设置在该陶瓷片正面及背面的正面金属层和背 面金属层。正面金属层蚀刻有蚀刻槽和正面图形 区；背面金属层蚀刻有半蚀刻槽以及背面图形 区，半蚀刻槽形状为蜂窝状或网格状，所述半蚀 刻槽面积占整个金属面的比例为5％‑40％，深度 为金属面的40％‑70％，蚀刻槽的宽度为0 .4mm‑ 5mm。制备方法包括陶瓷片覆接金属

最新专利

相关专利