发明

一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法

2023-05-18 12:36:20 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210484996.2
  • 公开(公告)日:2024-05-28
  • 公开(公告)号:CN114807890A
  • 申请人:东南大学
摘要:本发明公开了一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法,所述制备方法为:对密闭管式炉抽真空后,以惰性气体作为载气,在所需压强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大于25μV/K)的二维锑化铋,从而实现20nm以下二维锑化铋在便携场景中的应用;本发明通过退火诱导二维锑化铋升华并留下微孔,通过微孔降低低能量载流子浓度,减少低能量载流子对塞贝克系数的负面贡献,从而提高二维锑化铋塞贝克系数的绝对值;并且本发明方法能够通过氩气的流量来控制锑化铋薄膜上微孔的尺寸和数量,从而实现对锑化铋薄膜塞贝克系数的调控。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114807890 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210484996.2 C22C 1/02 (2006.01) C22C 12/00 (2006.01) (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人 东南大学 地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大 学路2号 (72)发明人 陶立 赵晗柳 朱蓓蓓 赵成栋  刘安晗 朱正瑞 常博  (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 李倩 (51)Int.Cl. C23C 14/58 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/30 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备 方法 (57)摘要 本发明公开了一种具有大温差电动势二维 锑化铋的制备方法,所述制备方法为:对密闭管 式炉抽真空后,以惰性气体作为载气,在所需压 强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行 退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm 以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大

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