发明

一种声波谐振器及其制备方法

2023-06-04 11:37:45 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202011560361.3
  • 公开(公告)日:2024-11-19
  • 公开(公告)号:CN112688657A
  • 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要:本发明提供一种声波谐振器及其制备方法,所述制备方法包括:提供一压电材料层;于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理,以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层;于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口;基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层,以于压电材料层中形成空气隙;其中,空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜,压电薄膜位于空气隙的上方,压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触;于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法,解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112688657 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011560361.3 (22)申请日 2020.12.25 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 欧欣 张丽萍 张师斌 周鸿燕  吴进波  (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 代理人 林丽丽 (51)Int.Cl. H03H 9/02 (2006.01) H03H 3/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图24页 (54)发明名称 一种声波谐振器及其制备方法 (57)摘要 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法, 所述制备方法包括:提供一压电材料层;于压电 材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退 火处理,以于压电材料层中预设深度处形成具有 预设厚度的高缺陷密度损伤层;于压电材料层上 表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐 蚀窗口;基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度 损伤层,以于压电材料层中形成空气隙;其中,空 气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜,压 电薄膜位于空气隙的上方,压电薄膜与压电衬底 在空气隙的边缘处具有接触;于压电薄膜上表面 形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器 A 及其制备方法,解决了现有声波谐振器无法满足 7 5G通信需求的问题

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