宽输入共模范围的LVDS接收电路及芯片

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116488596 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310060754.5 (22)申请日 2023.01.19 (71)申请人 眸芯科技（上海）有限公司 地址 201210 上海市浦东新区祥科路298号 1幢8层 (72)发明人 黄泽祥　张开伟　 (74)专利代理机构 上海图灵知识产权代理事务 所(普通合伙) 31393 专利代理师 谢微 (51)Int.Cl. H03F 3/45 (2006.01) H03F 1/30 (2006.01) H04B 1/16 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图3页 (54)发明名称 宽输入共模范围的LVDS接收电路及芯片 (57)摘要 本发明公开了宽输入共模范围的低压差分 信号LVDS接收电路及芯片，涉及数据处理电路技 术领域。所述LVDS接收电路的输入级包括第一级 输入端和第二级输入端、两组PMOS管输入差分 对、电平移位模块，以及用作开关的PMOS晶体管 PM5、参考电压模块和偏置电路模块；偏置电路模 块用于提供偏置电流I0和其控制配置，用于在输 入共模电平位于中间电平或者在参考电压附近 时，调低输出的偏置电流I0以补偿两组PMOS管输 入差分对同时工作时的电路跨导Gm增大。本发明 不仅能够在低电源电压下实现接近轨到轨的输 入共模范围 ，而且电路跨导Gm随共模变化较小， A 显著降低了电路的速度、增益、迟滞等