一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和集成MOS管

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116505748 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310422011.8 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 上海军陶科技股份有限公司 地址 201600 上海市松江区三浜路469号1 幢 (72)发明人 许有联　胡长远　杨欣　厉干年　 李华铭　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 专利代理师 廖慧琪 (51)Int.Cl. H02M 1/32 (2007.01) H02M 3/335 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种无源钳位结构、半桥电路、反激电路和 集成MOS管 (57)摘要 本发明公开了一种无源钳位结构、半桥电 路、反激电路和集成MOS管，所述无源钳位结构包 括：第一MOS管、第一电容、第一电阻和第一二极 管；第一电阻的第一端与第一MOS管的源极连接， 第二端与第一MOS管的栅极连接；第一电阻的第 一端与第一电容的第一预设端连接，第二端与第 一二极管的第二预设端连接；当第一MOS管为 PMOS管时 ，第一预设端为第一电容的正极，第二 预设端为第一二极管的负极；当第一MOS管为 NMOS管时 ，第一预设端为第一电容的负极，第二 预设端为第一二极管的正极；第一电阻的第三预 A 设端与第一电容的第四预设端接地。本发明通过 8 简单的电路结构实现无源钳位