半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117253903 A (43)申请公布日 2023.12.19 (21)申请号 202311218614.2 (22)申请日 2023.09.20 (71)申请人 民华微（上海）电子科技有限公司 地址 200439 上海市宝山区逸仙路1328号6 号楼3楼 (72)发明人 禹小军　杭华　刘伟　 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 专利代理师 郭四华 (51)Int.Cl. H01L 29/06 (2006.01) H01L 21/329 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图1页 (54)发明名称 半导体功率器件的终端保护结构及其制造 方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体功率器件的终端 保护结构，终端保护结构环绕在主结周侧并包 括：多个场限环，由第二导电类型掺杂的第二注 入区组成；在各场限环之间、最内侧的场限环和 主结的第一注入区之间以及最外侧的场限环外 侧都形成有由填充于第一沟槽中的介质层组成 沟槽隔离结构。各场限环和第一外延层之间接触 形成辅结；辅结的接触面为第一曲面；沟槽隔离 结构从第一曲面的两侧对第一曲面进行限制，以 降低第一曲面的面积、降低拐角角度和使第一曲 面两侧的拐角位置位于第一外延层的顶部表面 A 之下。本发明还提供一种半导体功率器件的终端 3 保护结构的制造方法。本发明能提高终端保