半导体装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117650166 A (43)申请公布日 2024.03.05 (21)申请号 202311441714.1 (22)申请日 2023.10.31 (71)申请人 海信家电集团股份有限公司 地址 528300 广东省佛山市顺德区容桂街 道容港路8号 (72)发明人 刘恒　陈道坤　周文杰　张永旺　 储金星　杨晶杰　刘子俭　 (74)专利代理机构 北京景闻知识产权代理有限 公司 11742 专利代理师 李芳 (51)Int.Cl. H01L 29/739 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 半导体装置 (57)摘要 本发明公开了一种半导体装置，半导体装置 包括：第一导电类型的漂移层；沟槽部，多个沟槽 部在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组和 假栅沟槽组，栅极沟槽组和假栅沟槽组在第二方 向上交替设置；第一导电类型的场截止层；第二 导电类型的集电极层，集电极层设置于场截止层 的下表面，集电极层内设置有第一导电类型的第 一发射极层，第一发射极层与假栅沟槽组上下对 应。由此，通过使第一发射极层与假栅沟槽组上 下对应，这样可以充分利用假栅区域，无需单独 设置第二半导体器件类型区域，使假栅区域也可 以作为第二半导体器件类型区域使用，减小半导 A 体装置的面积，提高半导体装置的工作性能，降 6 低半导体装置的生产成本。