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发明

一种硅基光子集成模块及其制备方法

2023-07-21 07:19:10 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202010062554.X
  • 公开（公告）日：2023-07-18
  • 公开（公告）号：CN111244227A
  • 申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制备方法，在SOI衬底的顶层硅上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二限制层；对第一限制层、有源层和第二限制层进行刻蚀，形成光电器件的台面；在InP层上外延生长形成探测器PIN结构；对探测器PIN结构进行刻蚀，形成探测器的台面；对光电器件的台面进行H离子注入，并进行P型隔离；对InP层进行刻蚀以隔离光电器件和探测器，并将硅波导与空气接触；在InP层、光电器件和探测器的表面沉积电极。如此，可以降低硅基光子集成的难度，可以缩小光子芯片的尺寸。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111244227 A (43)申请公布日 2020.06.05 (21)申请号 202010062554.X (22)申请日 2020.01.19 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 欧欣　林家杰　游天桂　金婷婷　 沈正皓　 (74)专利代理机构 广州三环专利商标代理有限 公司 44202 代理人 郝传鑫　贾允 (51)Int.Cl. H01L 31/18(2006.01) H01L 31/0232(2014.01) H01L 31/105(2006.01) G02B 6/136(2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种硅基光子集成模块及其制备方法 (57)摘要 本申请涉及一种硅基光子集成模块及其制 备方法，通过获取SOI衬底；在SOI衬底的顶层硅 上刻蚀形成硅波导；将N型InP薄膜采用离子束剥 离的方法转移到SOI衬底上，形成InP层；在InP层 上依次外延生长形成第一限制层、有源层和第二 限制层；对第一限制层、有源层和第二限制层进 行刻蚀，形成光电器件的台面；形成的光电器件 共用同一种有源区结构；在InP层上外延生长形 成

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