一种制备低电阻率衬底的方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117626208 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311345034.X (22)申请日 2023.10.17 (71)申请人 深圳大学 地址 518060 广东省深圳市南山区粤海街 道南海大道3688号 (72)发明人 刘新科　黄烨莹　秦宏志　张冠张　 黎晓华　贺威　朱德亮　 (74)专利代理机构 深圳市恒申知识产权事务所 (普通合伙) 44312 专利代理师 钟连发 (51)Int.Cl. C23C 14/48 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种制备低电阻率衬底的方法 (57)摘要 本发明提供了一种制备低电阻率衬底的方 法，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和 第二物质，其中，第二物质中具有使半导体衬底 降低电阻的掺杂元素；对第一物质进行超临界化 处理，获得超临界态第一物质；第二物质溶解于 超临界态第一物质内，获得超临界态混合物；将 半导体衬底和超临界态混合物反应，得到低电阻 率衬底。通过将具有使半导体衬底降低电阻的掺 杂元素的第二物质溶解在超临界态的第一物质 内，获得超临界态混合物，能够渗透到纳米结构 中，然后用超临界态混合物和半导体反应，即可 使得具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素能 A 够注入到半导体衬底的材料内部，获得低电阻率 8 衬底，修复半导体晶体内部缺陷，具有高效、低成 0 2 6 本、质量