1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 电学
PCT发明

蚀刻方法

2023-07-06 10:25:21 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180003274.4
  • 公开（公告）日：2021-12-17
  • 公开（公告）号：CN113811985A
  • 申请人：昭和电工株式会社
摘要：提供一种能够选择性地蚀刻氧化物的蚀刻方法。蚀刻方法具备蚀刻工序，在该蚀刻工序中，将具有氧化物的蚀刻对象物(12)设置在腔室(10)内，使用含有含氟化合物的蚀刻气体，在腔室(10)内对蚀刻对象物(12)所具有的氧化物进行蚀刻，该含氟化合物具有下述化学式所示的官能团。上述氧化物是金属氧化物和半金属氧化物中的至少一者。在蚀刻工序中，在腔室(10)内不产生蚀刻气体的等离子体地进行蚀刻。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113811985 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202180003274.4 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 (22)申请日 2021.01.12 代理人 段承恩　杨光军 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2020-013874 2020.01.30 JP H01L 21/311 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 21/02 (2006.01) 2021.11.09 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/000713 2021.01.12 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/153219 JA 2021.08.05 (71)申请人 昭和电工株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 松井一真　 权利要求书1页 说明书16页 附图2页

最新专利

相关专利