PCT发明

溅射沉积设备及方法

2023-05-19 11:18:06 发布于四川 0

申请专利号：CN202080091044.3
公开（公告）日：2024-10-29
公开（公告）号：CN114901854A
申请人：戴森技术有限公司

摘要：本文描述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，其包括用于在传送方向上引导基底的引导构件；用于产生等离子体的等离子体元；以及磁体装置。磁体装置配置成在设备内将等离子体限制到预处理区，在该预处理区内，基底在使用中暴露于等离子体。磁体装置还配置成在设备内将等离子体限制到溅射沉积区，以在使用中提供靶材料到基底的溅射沉积，该溅射沉积区在传送方向上位于预处理区之后。预处理区和溅射沉积区围绕引导构件设置。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114901854 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080091044.3 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所 11105 (22)申请日 2020.11.10 专利代理师张邦帅 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 1916626.3 2019.11.15 GB C23C 14/02 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C23C 14/35 (2006.01) 2022.06.29 C23C 14/56 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01J 37/34 (2006.01) PCT/GB2020/052848 2020.11.10 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/094731 EN 2021.05.20 (71)申请人戴森技术有限公司

溅射沉积设备及方法

专利内容

最新专利

相关专利