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发明

制造半导体器件的方法和半导体器件

2023-06-18 07:25:03 发布于四川 7
  • 申请专利号：CN202210374852.1
  • 公开（公告）日：2022-06-24
  • 公开（公告）号：CN114664927A
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664927 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210374852.1 H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2018.08.10 H01L 27/088 (2006.01) (30)优先权数据 H01L 21/8234 (2006.01) 62/565,339 2017.09.29 US 15/940,329 2018.03.29 US (62)分案原申请数据 201810911580.8 2018.08.10 (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 余绍铭　李东颖　云惟胜　杨富祥　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 专利代理师 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. H01L 29/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图30页 (54)发明名称 制造半导体器件的方法和半导体器件 (57)摘要 制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬 底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及 在第一半导

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