一种降低碳化硅同质外延片表面粗糙度的外延方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116770430 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310556116.2 (22)申请日 2023.05.17 (71)申请人 江苏汉印机电科技股份有限公司 地址 224000 江苏省盐城市高新技术产业 区凤凰南路18号 (72)发明人 文成　牧青　赵万顺　 (74)专利代理机构 盐城平易安通知识产权代理 事务所(普通合伙) 32448 专利代理师 刘敏 (51)Int.Cl. C30B 25/20 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种降低碳化硅同质外延片表面粗糙度的 外延方法 (57)摘要 本发明公开了一种降低碳化硅同质外延片 表面粗糙度的外延方法，步骤包括：将碳化硅衬 底放在石墨托盘凹槽处，将石墨托盘放入反应腔 的石墨基座上；利用惰性气体对反应腔内进行多 次充抽，排空完毕后，设定主氢气量为10‑40slm， 腔体压力50mbar‑100mbar；将反应腔体内的温度 升温到第一预设温度1450‑1550℃，并且控制托 盘旋转维持0.6‑1.5s/r，原位炉内退火5‑10min； 随后继续升温到第二预设温度1550‑1750℃，同 时增加氢气流量至80‑120slm，升到第二预设温 度时，配合流量碳源/硅源，维持刻蚀时间5 ‑ A 30mi