一种高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法
- 申请专利号:CN202310163700.1
- 公开(公告)日:2024-12-20
- 公开(公告)号:CN116285347A
- 申请人:安徽国风新材料股份有限公司|||安徽国风新材料技术有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116285347 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310163700.1 C08G 73/10 (2006.01) (22)申请日 2023.02.24 (71)申请人 安徽国风新材料股份有限公司 地址 230086 安徽省合肥市高新区铭传路 1000号 申请人 安徽国风新材料技术有限公司 (72)发明人 孙善卫 徐宝羚 庞冲 方超 (74)专利代理机构 合肥市长远专利代理事务所 (普通合伙) 34119 专利代理师 余婧 (51)Int.Cl. C08L 79/08 (2006.01) C08K 7/24 (2006.01) C08K 9/04 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 (54)发明名称 一种高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高导热低介电常数聚酰 亚胺薄膜,将改性多孔氮化硼与二胺单体、二酐 单体在溶剂中进行聚合反应得到聚酰胺酸溶液, 然后经过真空脱泡、流延成膜、脱溶剂和热亚胺 化得到。本发明还公开了上述高导热低介电常数 聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明制备的聚酰亚 胺薄膜的导热系数高、介电常数低,且机械性能 好,有很好的推广使用价值。 A 7 4 3 5 8