发明

一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器

2023-05-20 11:13:26 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210506577.4
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN114928339A
  • 申请人:中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要:本发明属于半导体集成电路设计领域,具体涉及一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器,包括偏置电压、晶体管M1‑M5、电阻R1‑R4、电感L1‑L2、两个电流控制阵列、两个相位补偿阵列,其中晶体管M1和晶体管M2组成共源极差分对管,电阻R1与电阻R2分别为晶体管M1和晶体管M2提供栅压偏置;晶体管M3和晶体管M4组成共栅极放大级;晶体管M5为尾电流源,用于保障放大器整体电流不变;电流控制阵列用于实现对放大器增益的编程控制;相位补偿阵列用于消除前馈电容影响,减小增益变化引起的附加相移,本发明提高了CMOS射频可编程增益放大器的增益变化范围,并减小了增益变化过程中引入的信号附加相移。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114928339 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210506577.4 (22)申请日 2022.05.11 (71)申请人 中国电子科技集团公司第二十四研 究所 地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14 号 (72)发明人 熊翼通 蒲颜 万开奇 刘莉薇  王国强  (74)专利代理机构 重庆辉腾律师事务所 50215 专利代理师 王海军 (51)Int.Cl. H03F 3/193 (2006.01) H03F 3/45 (2006.01) H03G 3/30 (2006.01) H03H 11/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种大动态低附加相移射频可编程增益放 大器 (57)摘要 本发明属于半导体集成电路设计领域,具体 涉及一种大动态低附加相移射频可编程增益放 大器,包括偏置电压、晶体管M1‑M5、电阻R1‑R4、 电感L1‑L2、两个电流控制阵列、两个相位补偿阵 列,其中晶体管M1和晶体管M2组成共源极差分对 管,电阻R1与电阻R2分别为晶体管M1和晶体管M2 提供栅压偏置;晶体管M3和晶体管M4组成共栅极 放大级;晶体管M5为尾电流源,用于保障放大器 整体电流不变;电流控制阵列用于实现对放大器 增益的编程控制;相位补偿阵列用于消除前馈电 容影响,减小增

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