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发明

一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法

2023-06-04 11:14:41 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310146619.2
  • 公开（公告）日：2024-07-23
  • 公开（公告）号：CN116200712A
  • 申请人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法，包含如下步骤：(1)首先通过高温薄膜沉积工艺在基片上沉积一层10‑30nm二氧化钒种子层；(2)然后降低温度，在步骤(1)获得的二氧化钒种子层上继续沉积所需厚度的氧化钒薄膜，得到由二氧化钒种子层和氧化钒薄膜构成的双层薄膜；(3)将步骤(2)沉积获得的双层薄膜通过气氛原位退火进行热处理，以制备出具有高开关比的二氧化钒薄膜。经过电压0V‑2.2V‑0V的连续扫描获得的U‑I特性曲线证实，依据本发明所制备的二氧化钒薄膜材料具有200‑300的开关比，高于常规磁控溅射的多晶二氧化钒薄膜和电铸形成的二氧化钒薄膜。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116200712 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310146619.2 (22)申请日 2023.02.21 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区（西区） 西源大道2006号 (72)发明人 顾德恩　熊志　赵天成　周鑫　 (74)专利代理机构 成都点睛专利代理事务所 (普通合伙) 51232 专利代理师 敖欢 (51)Int.Cl. C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法 (57)摘要 本发明提供一种高开关比二氧化钒薄膜及 制备方法，包含如下步骤：(1)首先通过高温薄膜 沉积工艺在基片上沉积一层10‑30nm二氧化钒种 子层；(2)然后降低温度，在步骤 (1)获得的二氧 化钒种子层上继续沉积所需厚度的氧化钒薄膜， 得到由二氧化钒种子层和氧化钒薄膜构成的双 层薄膜；(3)将步骤(2)沉积获得的双层薄膜通过 气氛原位退火进行热处理，以制备出具有高开关 比的二氧化钒薄膜。经过电压0V‑2.2V‑0V的连续 扫描获得的U‑I特性曲线证实，依据本发明所制 备的二氧化钒薄膜材料具有200‑300的开关比 ， 高于常

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