化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件基板的清洗方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116496853 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310501171.1 B08B 3/08 (2006.01) (22)申请日 2023.04.28 (71)申请人 武汉鼎泽新材料技术有限公司 地址 430057 湖北省武汉市经济技术开发 区东荆河路1号办公楼6楼608室 申请人 湖北鼎汇微电子材料有限公司　 湖北鼎龙控股股份有限公司 (72)发明人 刘子龙　胡怀志　冉运　王银　 朱顺全　 (51)Int.Cl. C11D 7/32 (2006.01) C11D 7/26 (2006.01) C11D 7/36 (2006.01) C11D 7/34 (2006.01) C11D 7/60 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图1页 (54)发明名称 化学机械抛光后清洗组合物及半导体器件 基板的清洗方法 (57)摘要 本发明涉及化学机械抛光后清洗组合物及 半导体器件基板的清洗方法，包含至少一种碱类 物质、至少一种胺类物质、至少一种金属络合剂 类物质、以及至少一种金属腐蚀抑制剂类物质， 其中该组合物适用于化学机械抛光之后从半导 体晶片表面去除残留物和污染物；本发明涉及的 化学机械抛光后清洗组合物具有相对温和的pH 以及钝化如铜暴露材料的能力，且原料绿色易 得，