非易失性存储器及其相关写入验证方法
- 申请专利号:CN202010805135.0
- 公开(公告)日:2024-08-06
- 公开(公告)号:CN112397114A
- 申请人:力旺电子股份有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397114 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202010805135.0 (22)申请日 2020.08.12 (30)优先权数据 62/886,286 2019.08.13 US (71)申请人 力旺电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学园区 (72)发明人 柏正豪 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 刘茵 (51)Int.Cl. G11C 7/10 (2006.01) G11C 7/24 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图12页 (54)发明名称 非易失性存储器及其相关写入验证方法 (57)摘要 一种非易失性存储器,包括:一存储单元阵 列、一列选择电路、一控制电路、一感测电路、一 验证电路。列选择电路连接于该存储单元阵列与 多条数据线。控制电路连接至该存储单元阵列与 该列选择电路。该控制电路可决定该存储单元阵 列中的多个选定存储单元,并经由该列选择电路 将该些选定存储单元连接至该些数据线。感测电 路连接至该些数据线。于进行一读取动作时,控 制电路提供预充电信号与致能信号至感测电路, 使得感测电路产生多个输出信号用以代表选定 存储单元的储存状态。验证电路接收多个写入数 据与输出信号,并产生多个验证信号。 A 4 1 1 7 9 3 2 1 1 N C CN 112397114 A