用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112782931 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 202011221137.1 (22)申请日 2020.11.05 (30)优先权数据 10-2019-0140110 2019.11.05 KR (71)申请人 思而施技术株式会社 地址 韩国大邱广域市达西区虎山洞路42 (72)发明人 申澈　李锺华　梁澈圭　公拮寓　 徐暻原　 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 代理人 杨文娟　臧建明 (51)Int.Cl. G03F 1/50 (2012.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模 (57)摘要 本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩 模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反 射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳 米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防 止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空 白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。 A 1 3 9 2 8 7 2 1 1 N C CN 112782931 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种用于极紫外光刻的空白掩模，包括： 反射膜、覆盖膜以及吸收膜，依序形成于透明基板上，