发明

含镍钴氢氧化物正极材料前驱体的制备方法2024

2024-03-29 07:38:48 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211259194.8
  • 公开(公告)日:2024-03-26
  • 公开(公告)号:CN115893515A
  • 申请人:宜宾光原锂电材料有限公司|||宜宾锂宝新材料有限公司
摘要:本发明公开了一种含镍钴氢氧化物正极材料前驱体的制备方法,包括在反应阶段控制反应物料固含量为20%~40%,且当D50大于工艺标准1μm以上时,将氨值降低至低于生长控制氨值1~3g/L和/或将生长控制离线pH值提高至高于生长控制离线pH值0.1~0.25的步骤;还包括当D50小于工艺标准1μm以上时,将氨值提高至高于生长控制氨值1~3g/L和/或将生长控制离线pH值降低至低于生长控制离线pH值0.1~0.25的步骤。其优点是:能够显著减少微粉,改善小颗粒形貌同时提高前驱体的振实密度。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115893515 A (43)申请公布日 2023.04.04 (21)申请号 202211259194.8 (22)申请日 2022.10.14 (71)申请人 宜宾光原锂电材料有限公司 地址 644200 四川省宜宾市江安县阳春坝 工业园区 申请人 宜宾锂宝新材料有限公司 (72)发明人 左美华 邢王燕 阳锐 宋方亨  蒋雪平 吕栋梁 杜先锋 孙宏  岳川丰 王承乔 黄宇  (74)专利代理机构 成都泰合道知识产权代理有 限公司 51231 专利代理师 周宇杰 (51)Int.Cl. C01G 53/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 新型正极材料前驱体及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种新型正极材料前驱体的 制备方法,包括在反应阶段控制反应物料固含量 为20%~40%,且当D50大于工艺标准1μm以上 时,将氨值降低至低于生长控制氨值1~3g/L和/ 或将生长控制离线pH值提高至高于生长控制离 线pH值0.1~0.25的步骤;还包括当D50小于工艺 标准1μm以上时,将氨值提高至高于生长控制氨 值1~3g/L和/或将生长控制离线pH值降低至低 于生长控制离线pH值0.1~0.25的步骤。其优点 是:能够显著减少微粉,改善小颗粒形貌同时提 高前驱体的振实密度。 A 5 1 5 3 9 8 5 1

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