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用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法2024

2023-10-13 07:15:03 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310634756.0
  • 公开(公告)日:2024-09-20
  • 公开(公告)号:CN116854470A
  • 申请人:四川省新材料研究中心
摘要:本发明公开了用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法,改性钒酸铋材料的化学式为(A)XBi1‑X(B)YV1‑YOZ,其中0≤X≤1,0≤Y≤1,0≤Z≤4,其中A、B均为金属阳离子。通过对钒酸铋材料进行掺杂,发现掺杂Co,使得钒酸铋材料的载流子迁移率提高、寿命提高、载流子浓度降低,材料相应的灵敏度提高,信号电流噪声降低,具备了实现基板阵列化成像的能力。通过将钒酸铋陶瓷集成到阵列化成像基板上,成功实现了X射线阵列化成像。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116854470 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310634756.0 (22)申请日 2023.05.31 (71)申请人 四川省新材料研究中心 地址 610000 四川省成都市双流区银河路 596号 (72)发明人 郑霄家 樊郑辉 蔡冰 杨宁  袁瑞涵  (74)专利代理机构 成都时誉知识产权代理事务 所(普通合伙) 51250 专利代理师 汪林 (51)Int.Cl. C04B 35/495 (2006.01) G01N 23/04 (2018.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图6页 (54)发明名称 用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改 性钒酸铋材料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了用作直接式X射线阵列化成像 器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法,改性 钒酸铋材料的化学式为(A) Bi (B) V O ,其中 X 1‑X Y 1‑Y Z 0≤X≤1,0≤Y≤1,0≤Z≤4,其中A、B均为金属阳 离子。通过对钒酸铋材料进行掺杂,发现掺杂Co, 使得钒酸铋材料的载流子迁移率提高、寿命提 高、载流子浓度降低,材料相应的灵敏度提高,信 号电流噪声降低,具备了实现基板阵列化成像的 能力。通过将钒酸铋陶瓷集成到阵列化成像基板 上,成功实现了X射线阵列化成像。 A 0 7

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