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发明

半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质

2023-05-06 09:52:52 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111082924.7
  • 公开（公告）日：2024-11-19
  • 公开（公告）号：CN114318298A
  • 申请人：株式会社国际电气
摘要：本发明是半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质。通过抑制由在处理容器内形成的膜引起的颗粒产生，延长清洁周期，提高成膜处理的生产率。本发明具有：(a)向处理容器内搬入基板的工序，(b)在处理容器内进行以下处理的工序，即，通过将对基板由第一供给部供给原料气体的工序和对基板由第二供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预定次数，在基板上形成膜的处理，(c)从处理容器内搬出处理后的基板的工序和(d)在从处理容器内搬出处理后的基板后的状态下，使(b)中在处理容器内形成的膜的至少一部分氧化而变成氧化膜的工序，在(d)中，向处理容器内供给含氧气体和含氢气体，同时向第一供给部供给含氢气体。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318298 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111082924.7 H01L 21/02 (2006.01) (22)申请日 2021.09.15 (30)优先权数据 2020-164643 2020.09.30 JP (71)申请人 株式会社国际电气 地址 日本东京都 (72)发明人 野田孝晓　今村友纪　奥田和幸　 寺崎昌人　 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 代理人 陈彦　李宏轩 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) 权利要求书3页 说明书22页 附图7页 (54)发明名称 半导体装置的制造方法、基板处理方法、基 板处理装置和记录介质 (57)摘要 本发明是半导体装置的制造方法、基板处理 方法、基板处理装置和记录介质。通过抑制由在 处理容器内形成的膜引起的颗粒产生，延长清洁 周期，提高成膜处理的生产率。本发明具有：(a) 向处理容器内搬入基板的工序，(b)在处理容器 内进行以下处理的工序，即，通过将对基板由第 一供给部供给原料气体的工序和对基板由第二 供给部供给反应气体的工序交替或同时进行预 定次数，在基板上形成膜的处理，(

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