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发明

一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用

2023-05-19 11:04:05 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210281153.2
  • 公开（公告）日：2024-11-22
  • 公开（公告）号：CN114875482A
  • 申请人：北京大学
摘要：本发明涉及III族氮化物半导体制备技术领域，具体涉及一种电子浓度高、电阻率低，且具有原子级平整的表面形貌的n型AlGaN的制备方法。所述n型AlGaN的制备方法包括两个关键步骤，一是增大蓝宝石衬底的斜切角，二是降低n‑AlGaN层的外延温度。本发明通过使用较大斜切角的蓝宝石衬底，使得衬底表面台阶宽度变窄，如此可使得n型AlGaN生长时满足二维生长模式所需要的吸附原子扩散长度变短，为较低生长温度情况下仍然维持二维生长、并能保持较高的生长速度打开控制窗口；在此基础上再进一步降低外延n‑AlGaN层的温度，有效抑制了金属空位的形成，缓解了金属空位对电子的补偿作用，从而可在保证表面形貌原子级平整的前提下，显著提高n型AlGaN中的电子浓度，并降低电阻率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875482 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210281153.2 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 许福军　王嘉铭　沈波　郎婧　 康香宁　 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 专利代理师 商秀玲 (51)Int.Cl. C30B 25/18 (2006.01) C30B 25/16 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) H01L 33/02 (2010.01) H01L 33/32 (2010.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种高质量n型AlGaN的制备方法及应用 (57)摘要 本发明涉及III族氮化物半导体制备技术领 域，具体涉及一种电子浓度高、电阻率低，且具有 原子级平整的表面形貌的n型AlGaN的制备方法。 所述n型AlGaN的制备方法包括两个关键步骤，一 是增大蓝宝石衬底的斜切角，二是降低n‑AlGaN 层的外延温度。本发明通过使用较大斜切角的蓝 宝石衬底，使得衬底表面台阶宽度变窄，如此可 使得n型AlGaN生长时满足二维生长模式所需要 的吸附原子扩散长度变短，为较低生长温度情况 下仍然维持二维生长、并能保持较高的生长速度 打开控制

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