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碳化硅晶体以及用于生产其的方法

2023-06-23 07:24:36 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110237647.6
  • 公开(公告)日:2025-02-11
  • 公开(公告)号:CN113337892A
  • 申请人:II-VI特拉华有限公司
摘要:本公开内容一般地涉及可以用于光学应用中的碳化硅晶体,以及涉及用于生产其的方法。在一种形式中,组合物包含铝掺杂的碳化硅晶体,所述铝掺杂的碳化硅晶体具有残留的氮和硼杂质。碳化硅晶体中的铝的浓度大于碳化硅晶体中的氮和硼的组合浓度,并且碳化硅晶体在约400nm至约800nm的范围内的波长下的光吸收系数小于约0.4cm‑1。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113337892 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110237647.6 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) (22)申请日 2021.03.01 C30B 31/10 (2006.01) (30)优先权数据 C30B 25/00 (2006.01) 62/984,177 2020.03.02 US 17/029,746 2020.09.23 US (71)申请人 II-VI特拉华有限公司 地址 美国特拉华州 (72)发明人 伊利亚 ·茨维巴克  瓦拉他拉扬 ·伦加拉扬  安德鲁 ·N ·苏齐兹  加里 ·E ·鲁兰  (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 蔡胜有 孙雅雯 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 碳化硅晶体以及用于生产其的方法 (57)摘要 本公开内容一般地涉及可以用于光学应用 中的碳化硅晶体,以及涉及用于生产其的方法。 在一种形式中,组合物包含铝掺杂的碳化硅

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