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发明

一种优降宁和膦配体共同保护的Cu(I)簇合成方法及LEDs应用2024

2024-01-26 08:08:33 发布于四川 28
  • 申请专利号：CN202311347506.5
  • 公开（公告）日：2024-01-16
  • 公开（公告）号：CN117402180A
  • 申请人：福州大学
摘要：本发明公开了一种优降宁和膦配体共同保护的Cu(I)簇合成方法及LEDs应用。两种晶体的合成方法是选用具有柔性电子结构的优降宁(HC≡CC9H12N)作为保护配体，Cu(I)为铜源，PPh3或dppy(dppy=二苯基‑2‑吡啶膦)作为第二辅助配体，CH2Cl2和MeOH作反应溶剂，通过简单的室温一步化学反应，首次合成得到两种不同结构和发光性能的优降宁‑膦配体共同保护的Cu(I)炔簇晶体[Cu4(C≡C‑C9H12N)3(PPh3)4](PF6)(QH‑Cu4)和[Cu6(C≡C‑C9H12N)4(dppy)4](ClO4)2(QH‑Cu6)。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117402180 A (43)申请公布日 2024.01.16 (21)申请号 202311347506.5 (22)申请日 2023.10.18 (71)申请人 福州大学 地址 350108 福建省福州市闽侯县福州大 学城乌龙江北大道2号福州大学 (72)发明人 魏巧华　黄秋琴　林艳艳　 (74)专利代理机构 福州元创专利商标代理有限 公司 35100 专利代理师 俞舟舟　蔡学俊 (51)Int.Cl. C07F 1/08 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) H10K 85/30 (2023.01) H10K 50/10 (2023.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种优降宁和膦配体共同保护的Cu(I)簇合 成方法及LEDs应用 (57)摘要 本发明公开了一种优降宁和膦配体共同保 护的Cu(I)簇合成方法及LEDs应用。两种晶体的 合成方法是选用具有柔性电子结构的优降宁(HC ≡CC H N)作为保护配体，Cu (I)为铜源，PPh 或 9 12 3 dppy (dppy 二苯基‑2‑吡啶膦)作为第二辅助配 体，CH Cl 和MeOH作反应溶剂，通过简单的室温 2 2 一步化学反应，首次合成得到两种不同结构和发 光性能的

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