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发明

一种高稳定性低电阻率NTC热敏电阻介质材料及其制备方法2025

2024-04-11 07:29:49 发布于四川 13
  • 申请专利号：CN202410031679.4
  • 公开（公告）日：2025-09-05
  • 公开（公告）号：CN117843346A
  • 申请人：汕头保税区松田电子科技有限公司
摘要：一种高稳定性低电阻率NTC热敏电阻介质材料，其特征在于由下述重量配比的原料制成：Mn3O4 79‑93%，Ni2O3 2‑8%，CuO 1‑7%，Al2O3 0.4‑2%，ZnO 0.4‑1%，LiLaGa2O5 0.2‑4%，ZnTeO4 0.3‑5%，TiO2 0.1‑0.6%。本发明的高稳定性低电阻率NTC热敏电阻介质材料与现有技术相比，具有如下优点：（1）材料常数B值高，B值在‑25‑200℃为4210‑4720K；（2）NTC热敏电阻的灵敏度高，稳定性好，具有好的耐电流冲击能力；在最大稳态电流后，产品电阻率变化小；延时电阻变化率小（25℃放置20天）；（3）电阻率低，室温电阻率（ρ25℃）在8Ω·cm~9.6Ω·cm范围内；（4）NTC热敏陶瓷的烧结温度较低，为1150‑1220℃。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117843346 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202410031679.4 (22)申请日 2024.01.09 (71)申请人 汕头保税区松田电子科技有限公司 地址 515000 广东省汕头市保税区松田科 技园东区、松田科技园西区 (72)发明人 黄哲　黄璟　林榕　黄陈瑶　陈逸　 李光钦　董鑫　彭亚乔　陈衍泽　 (74)专利代理机构 汕头市潮睿专利事务有限公 司 44230 专利代理师 林天普 (51)Int.Cl. C04B 35/01 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) H01C 7/04 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 (54)发明名称 一种高稳定性低电阻率NTC热敏电阻介质材 料及其制备方法 (57)摘要 一种高稳定性低电阻率NTC热敏电阻介质材 料，其特征在于由下述重量配比的原料制成： Mn O 79‑93%，Ni O 2‑8%，CuO  1‑7%，Al O 0.4‑2%， 3 4 2 3 2 3 ZnO 0.4‑1%，LiLaGa O 0.2‑4%，ZnTeO 0.3‑5%， 2 5 4 TiO 0.1‑0.6%。本发明的高稳定性低电阻率NTC 2 热敏电阻介质材料与

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