一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113088914 A (43)申请公布日 2021.07.09 (21)申请号 202110353246.7 (22)申请日 2021.04.01 (71)申请人 上海西普瀚芯电子科技有限公司 地址 201900 上海市宝山区春和路518号 (72)发明人 叶志强　叶寒　 (74)专利代理机构 上海秋冬专利代理事务所 (普通合伙) 31414 代理人 张月 (51)Int.Cl. C23C 14/48 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔 材料及其制备方法 (57)摘要 本发明适用于材料技术领域，提供了一种用 于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制 备方法，其中，所述用于离子注入机的阴极盾、离 化反应腔材料包括以下重量百分比的原料：氧化 镧1%‑1.2%、余量为二氧化钼。本发明通过将特定 比例的氧化镧掺杂入二氧化钼中所得到的用于 离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料具有优异 的抗腐蚀性能，将其制造成阴极盾、离化反应腔 进行离子注入芯片时，极大地减弱三氟化磷离子 注入气对金属钼材料见光死效应，可使阴极盾、 离化反应腔的使用寿命比原来纯钼、TZM钼合金 A 的产品提高了三倍，大大降低了芯片离子注入生 4 产成本，生产线维护成本随之大幅降低；另外，本 1 9 8 发明在零件精密加工上具有加工零件产品光