半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114908326 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210486770.6 (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司 地址 100176 北京市北京经济技术开发区 文昌大道8号 (72)发明人 丁培军　张同文　郭宏瑞　 (74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11112 专利代理师 彭瑞欣　王婷 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图3页 (54)发明名称 半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方 法 (57)摘要 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备 及形成叠层薄膜结构的方法。该形成叠层薄膜结 构的方法包括：第一溅射步骤，将待沉积薄膜的 晶圆传输至第一工艺腔室内的第一基座上，对介 质靶材施加第一溅射功率，以在晶圆的表面沉积 形成介质薄膜；第二溅射步骤，将溅射有介质薄 膜的晶圆由第一工艺腔室内传输至第二工艺腔 室内的第二基座上，对金属靶材施加第二溅射功 率，以在介质薄膜上形成金属薄膜；重复执行第 一溅射步骤及第二溅射步骤，以在晶圆的表面沉 积交替叠层的介质薄膜和金属薄膜，形成叠层薄 A 膜结构。本申请实施例实现了大幅提升产能的同 6 时，还能确保产品的良率，并且还能避免叠层薄 2 3 8 膜结构内部产生较大的热应力，