半导体基板的制造方法和半导体基板

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113838801 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202010591840.5 (22)申请日 2020.06.24 (71)申请人 京东方科技集团股份有限公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 (72)发明人 黄杰　宁策　李正亮　胡合合　 贺家煜　姚念琦　赵坤　曲峰　 许晓春　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 王锐 (51)Int.Cl. H01L 21/77(2017.01) H01L 27/12(2006.01) H01L 29/10(2006.01) 权利要求书4页 说明书17页 附图14页 (54)发明名称 半导体基板的制造方法和半导体基板 (57)摘要 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。 所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度 时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导 体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧 化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形 成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材 料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体 层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、 第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶 相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化 物半导体材料