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发明

一种太赫兹超表面及多功能主动切换的方法2024

2024-03-05 07:19:20 发布于四川 5
  • 申请专利号：CN202311714563.2
  • 公开（公告）日：2024-03-01
  • 公开（公告）号：CN117638515A
  • 申请人：浙江工业大学
摘要：本发明公开了一种太赫兹超表面及多功能主动切换的方法，太赫兹超表面由若干个阵列排布的超表面结构单元构成，超表面结构单元包括二氧化硅基底层，二氧化硅基底层上设有二氧化硅间隔层，二氧化硅间隔层与二氧化硅基底层之间设有图案化石墨烯层，二氧化硅间隔层上表面设有二氧化钒层，其中二氧化钒上表面中心处设有银纳米砖，通过对图案化石墨烯层和二氧化钒层的动态调谐，结合PB相位，实现主动切换极化转换、宽带调制、宽带吸收、近场成像及远场全息成像五功能，通过合理调控石墨烯和二氧化钒电导率，当太赫兹y线偏振光垂直入射至所述超表面后，近场会得到一幅图像；当太赫兹圆偏振光下垂直入射下，会实现另外四个功能，五个功能可主动切换。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117638515 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311714563.2 (22)申请日 2023.12.14 (71)申请人 浙江工业大学 地址 310014 浙江省杭州市拱墅区潮王路 18号 (72)发明人 邓娟　王圣明　黄镇东　高凡　 鄢波　 (74)专利代理机构 杭州浙科专利事务所(普通 合伙) 33213 专利代理师 周红芳 (51)Int.Cl. H01Q 15/00 (2006.01) H01Q 15/24 (2006.01) H01Q 17/00 (2006.01) G02B 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图5页 (54)发明名称 一种太赫兹超表面及多功能主动切换的方 法 (57)摘要 本发明公开了一种太赫兹超表面及多功能 主动切换的方法，太赫兹超表面由若干个阵列排 布的超表面结构单元构成，超表面结构单元包括 二氧化硅基底层，二氧化硅基底层上设有二氧化 硅间隔层，二氧化硅间隔层与二氧化硅基底层之 间设有图案化石墨烯层，二氧化硅间隔层上表面 设有二氧化钒层，其中二氧化钒上表面中心处设 有银纳米砖，通过对图案化石墨烯层和二氧化钒 层的动态调谐，结合PB相位，实现主动切换极化 转换、宽带调制、宽带吸收、近场成像及远场全息 成像五功能，通过合理调控石墨烯和二氧化钒电

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