一种可提高碳化硅一级品率的冶炼炉的装炉方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117663781 A (43)申请公布日 2024.03.08 (21)申请号 202311669195.4 (22)申请日 2023.12.07 (71)申请人 宁夏金海兴昇碳化硅有限公司 地址 753600 宁夏回族自治区银川市惠农 区红果子工业园区管委会楼内 (72)发明人 杨天　彭瑞　张光礼　 (74)专利代理机构 宁夏和信汇志知识产权代理 有限公司 64109 专利代理师 安少妮 (51)Int.Cl. F27D 1/00 (2006.01) F27D 1/04 (2006.01) F27D 17/00 (2006.01) C01B 32/97 (2017.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼 炉 (57)摘要 本发明提供了一种可提高碳化硅一级品率 的碳化硅冶炼炉，包括炉底，在炉底上方四周利 用耐火砖围成并用水泥包覆密封的环保密封炉 墙，其中，炉底由具有微通道结构的耐火砖制成， 冶炼炉还包括：在炉底下层设置的导气道。本申 请炉底和炉顶区域铺设大粒径物料，使底部物料 间能够形成气体排放的通道，确保有害气体顺利 通过炉底耐火砖层的微通道排出，炉墙邻近位置 处铺设小粒径物料，使向此方向流动的有害气体 穿透受阻被迫向上或向下排放至尾气收集系统 内，从而提升了密封式冶炼炉的透气性，降低了 A 产品的杂质含量，提高了产品的一