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发明
电化学原位合成Cu/DNBT薄膜的制备方法2025
2025-02-22 12:36:08
发布于四川
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- 申请专利号：CN202411636283.9
- 公开（公告）日：2025-10-10
- 公开（公告）号：CN119491281A
- 申请人：中北大学
摘要：本发明公开了一种电化学原位合成Cu/DNBT薄膜的制备方法，属于火工品微装药技术领域。该方法包括步骤：DABT的合成、DNBT的合成、对Cu基底表面进行改性、电化学原位合成Cu/DNBT薄膜。本发明的制备方法设计科学合理、操作简单便捷、制备时间短、安全性好，本发明方法对Cu基底表面进行了改性使其覆盖一层纳米级Cu(OH)2薄膜，以镀蓝色纳米级Cu(OH)2膜的铜箔作为电化学阳极，提供金属离子与DNBT发生配位反应，最终在铜箔上合成了Cu/DNBT薄膜。
专利内容
本发明公开了一种电化学原位合成Cu/DNBT薄膜的制备方法，属于火工品微装药技术领域。该方法包括步骤：DABT的合成、DNBT的合成、对Cu基底表面进行改性、电化学原位合成Cu/DNBT薄膜。本发明的制备方法设计科学合理、操作简单便捷、制备时间短、安全性好，本发明方法对Cu基底表面进行了改性使其覆盖一层纳米级Cu(OH)2薄膜，以镀蓝色纳米级Cu(OH)2膜的铜箔作为电化学阳极，提供金属离子与DNBT发生配位反应，最终在铜箔上合成了Cu/DNBT薄膜。C25D9/02(2006.01);C25D5/34(2006.01);C06B25/34(2006.01);C23C22/63(2006.01);C07D249/10(2006.01)
