亲疏水选择性修饰的高密度生物芯片制备方法及生物芯片
- 申请专利号:CN202210432126.0
- 公开(公告)日:2022-07-01
- 公开(公告)号:CN114686992A
- 申请人:赛润(上海)医学科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114686992 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210432126.0 (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人 赛润(上海)医学科技有限公司 地址 200030 上海市徐汇区虹漕路421号65 幢7层A室 (72)发明人 侯彩玲 朱奇朗 华珉 (74)专利代理机构 苏州三英知识产权代理有限 公司 32412 专利代理师 李若可 (51)Int.Cl. C40B 50/14 (2006.01) C40B 40/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 亲疏水选择性修饰的高密度生物芯片制备 方法及生物芯片 (57)摘要 本发明公开了一种亲疏水选择性修饰的高 密度生物芯片制备方法及生物芯片,方法包括在 硅片基底表面制备二氧化硅层;基于亲疏水性表 面图案制备掩膜板,并利用掩膜板对覆有二氧化 硅层的硅片基底表面进行光刻处理,形成若干个 覆盖光刻胶的区域;利用疏水硅烷对硅片基底表 面未覆盖光刻胶的区域进行疏水性修饰,形成疏 水性表面;去除覆盖光刻胶的区域上的光刻胶并 利用亲水硅烷进行亲水性修饰,形成亲水性表 面;通过点样将氨基修饰的DNA分子固定到具有 疏水性表面和亲水性表面的硅片基底上,形成生 A 物芯片。本发明能够制备出具有高密度样点的生 2 物芯片,并且还能够避免点样后样点间的交叉污 9 9 6 染。 8 6 4