一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114411254 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202111543071.2 (22)申请日 2021.12.16 (71)申请人 唤月照雪（厦门）科技有限责任公司 地址 361000 福建省厦门市思明区演武西 路180号1402室之一 (72)发明人 康俊勇　尹君　檀鹏　康闻宇　 (74)专利代理机构 厦门市首创君合专利事务所 有限公司 35204 代理人 张松亭　陈淑娴 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅 单晶制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长 装置及其制备方法，利用主加热器和辅助加热器 的配合，通过上下移动坩埚的位置，可以实现生 长坩埚内温度场的局域化调整，精确控制坩埚原 料内部最高温区位置始终能够接近于粉料表面 区域，进而避免生长过程中因粉料内部温度过高 而表面温度过低导致的原料表面石墨化和原料 碳或碳化硅非晶颗粒对单晶生长质量的破坏，从 而制得大尺寸、高质量的碳化硅单晶。 A 4 5 2 1 1 4 4 1 1 N C CN 114411254 A 权　利　要　求　书